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科耳皮茲型振蕩回路 如圖4.8-1所示以科耳皮茲型振蕩回路為例，調(diào)查振蕩頻率、負(fù)載電阻及頻率可變幅度等。 (a)振蕩頻率 ?如果水晶振子的公稱頻率為10MHz，負(fù)載電容為16pF，水晶振子的各參數(shù)就如下表所示。 ?圖中C3是用來調(diào)整振蕩頻率。回路負(fù)載電容CL與各電容定數(shù)間有下面公式的關(guān)系，這樣就求得了C3。 （圖我在收集R……
7 諧振器小型化的影響 ? ? ? 諧振器的等效回路通常可以用下圖來表示，串聯(lián)電容C1如圖4.7-1那樣根據(jù)諧振器的頻率來決定大概的范圍。通常晶片和電極比較大時，串聯(lián)電容C1就變大，反之，小型化后的振子其串聯(lián)電容C1就變小，同時串聯(lián)電阻R1增大。 因此，小型諧振器與舊型號相比，由于晶片和電極面積都變小，所以串聯(lián)電容C1的……
? ? ? ? 振蕩回路的負(fù)載電容與振蕩頻率 ? ? ? ? 在通常的振蕩回路上，由于在感性電抗范圍內(nèi)使用水晶振子，所以振蕩回路作為容性電抗來動作。即從水晶振子的兩側(cè)來看振蕩回路的話，振蕩回路用負(fù)電阻Ri與負(fù)載電容CL的串聯(lián)回路來表示。這個電容值就是包含有回路配線電容和單元電容的回路上的總電容，這時的總電容就稱為負(fù)載……
通過科耳皮茲型振蕩回路的諧振器端子看到的負(fù)電阻Ri的頻率特性，在? 小信號時測量，負(fù)載電容CL雖沒有大的變化，但負(fù)載電阻Ri具有變化的頻率特性。 ? ? ? ?為了振蕩，在其頻率范圍內(nèi)負(fù)電阻必須是RL≤? Ri 。這個特性用回路定數(shù)計(jì)算求得C1、C2的電抗,與并聯(lián)電阻單元相比,在較小的頻率范圍內(nèi)大體上可以用下面的公式表示；在低……
?振蕩回路通常所使用的科耳皮茲型振蕩回路，如圖4.4-1(a)所示。在這個回路上，用電容C1、C2分壓諧振器兩端的信號，輸入側(cè)接C1，輸出側(cè)接C2，就可以將其認(rèn)為是一種反饋型放大器。 ? ? ?其次，晶體振蕩的狀態(tài)就象圖4.4-1(b)所示的那樣，在有諧振器的振蕩回路上，能用負(fù)載電容CL與負(fù)電阻Ri的串聯(lián)回路來表求。這時在諧振器上……
激勵電平 ? ? ?諧振器由于是機(jī)械振動，如果對激勵電平不限制，晶體特性就會變差（如振蕩頻率變化、穩(wěn)定性的惡化，等效回路參數(shù)的變化等），會導(dǎo)致諧振器破壞。因此，在使用時必須確認(rèn)激勵電平的最大值。 ? 3.1高激勵電平 ? 高激勵電平會引起非線形的影響。 ? ①.對水晶振子施加過大的應(yīng)力、加熱等時候，就會發(fā)生頻率上升……
2.1諧振器的頻率溫度特性 ? ? 頻率溫度特性如下圖所示的曲線來表示(頻率溫度特性曲線)。但是實(shí)際的頻率溫度特性由于振子的設(shè)計(jì)、制造方法、工程設(shè)置等差別很大，所以曲線也各不相同。 例如: ①晶片的切割角度； ②晶片的尺寸； ③晶片的表面加工； ④晶片的固定方法； ⑤電極材料及其厚度等， ? ? 在頻率異常時一般都是受到這……
AT切割諧振器的頻率范圍大概可以加工到800KHz～200MHz，通常應(yīng)用較多的是3～150MHz。由于振動模式是厚度切變振動，所以60MHz以下的多是采用基頻，60M～125MHz的多是采用3次泛音。
石英晶體諧振器（英文：quartz crystal unit或quartz crystal resonator，常被標(biāo)識為Xtal，Extenal Crystal Osillator，外部晶振器，因?yàn)榫д駟卧３Ｗ鳛殡娐吠饨樱喎Q石英晶體或晶振，是利用石英晶體（又稱水晶）的壓電效應(yīng)，用來產(chǎn)生高精度振蕩頻率的一種電子元件，屬于被動元件。該元件主要由石英晶片、基座、外殼……
水晶（Crystal）是一種石英（Quartz ）結(jié)晶體礦物，它的主要化學(xué)成份是二氧化硅，化學(xué)式為SiO2。 自然界中存在大量的水晶，稱之為天然水晶，但由于其含有雜質(zhì)，無法進(jìn)行工業(yè)批量制造。 人造水晶是指在一定的工藝條件下，人工在高壓釜內(nèi)制造的水晶。目前，石英晶體行業(yè)所用的水晶都為人造水晶。人造水晶純度高，更利于工業(yè)……
（1）石英晶體的壓電特性 石英晶體中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中，二氧化硅是以二維空間的簡化圖形。 在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負(fù)電場時, 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個氧原子會相互排斥,在氧原子下方形成一個感應(yīng)正電場區(qū)域, 同時在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場區(qū)域。 ……
以常用的室溫25℃作為相對零點(diǎn), AT切割的最大優(yōu)點(diǎn)是頻率對溫度變化為一元三次方曲線。可以看到, 在相當(dāng)寬廣的溫度范圍下, AT切割的溫度曲線的第一階及第二階常數(shù)為零, 第三階的常數(shù)便決定了頻率對溫度的變化值。
